中國首創國產深紫外光刻機 可生產8納米晶片

技術規格詳解

根據官方公布的資料，新開發的「氟化氬光刻機」具有300毫米的晶圓直徑和193納米的照明波長，並能達到65納米以下的分辨率。此外，它的套刻能力達到8納米以下，至於良率則未提到。

工信部官網9日公布「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。工信部稱，重大技術裝備是國之重器，事關綜合國力和國家安全。「首台（套）重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零組件等。

在美國與荷蘭加強對半導體製造設備的出口管制，其中包括對ASML部分中階DUV設備的限制。中國自主研發的DUV光刻機填補了國內技術的空白。雖然與荷蘭ASML的先進設備相比仍有差距，但此進展顯示中國在半導體製造技術上的重大突破。